Keyight IC-CAP 20202 64位破解版

人参与 | 时间：2026-09-03 14:23:41

　　Keysight IC-CAP 2020是位一款器件建模軟件，可以扶植用戶在軟件設計多種電子設備模型，破解方便為廠家開發新的位電子設備，現在很多硬件都是破解通過建模的方式預先在電腦上分析各種加工計劃，計算設備數據，位設計編程命令，破解开心消消乐辅助免费下载設計落成以後就可以起始加工設備，位Keysight IC-CAP 2020可以扶植用戶快速分析設備參數，破解提供可視化與編程功能、位儀器驅動程序、破解仿真器和優化算法，位扶植用戶在軟件上仿真設備，破解設計模型，位分析電磁數據，破解設計電路板，位仿真電子儀器，非常適合電子設備開發和電磁仿真人員使用，如果你需要建立各種器件模型就可以下載這款軟件！

軟件功能

　　1 、IC-CAP建模軟件提供模塊化產品，以便您可以準確地選擇特定建模所需的模塊腳本。IC-CAP平台的中心是IC-CAP軟件環境擁穿著圖形分析、編程通過參數提取語言（PEL）和Python ，以及自定義模型和用戶界麵發展。需要分析模塊在大多數模擬建模應用中，優化和外部接口模擬器。IC-CAP擁穿著測量儀器，包括直流、LCRZ和射頻。

　　2、最先進的自動化

　　測量溶液有了IC-CAP WaferPro ，IC-CAP提供了最先進的設備建模解決計劃自動化測量。專門的測試調停IC-CAP平台內的環境允許

　　測量和後籌備的測試工程師使用各種按鍵和第三方的數據儀器。

　　3、精確鍵控專用

　　和行業標準模型IC-CAP包含精確的建築模型以及維護最新的模型庫。在單個環境中，您可以使用IC-CAP自動化測量，模擬設備性能，提取數據，優化模型參數，鋪開統計分析，並裸露最壞情況的模型。集成電路蓋為工業提供提取例程標準，以及Keysight專有二極管、BJT、MOSFET、MESFET的型號，血紅素，噪音，熱模型，和其他。提取模塊提供完整的直流至射頻參數提取功能。此外，IC-CAP支架模型與提取由第三方開發的程序，以及許多其他的模擬軟件包裝，以適應廣泛的开心消消乐科技直装下载客戶要求。IC-CAP也擁穿著Verilog-A模型的使用。

　　4、射頻和微波建模能力

　　射頻效應的精確建模需要可靠的測量數據。建立在已證實的基礎上射頻和微波測試的強度測量，EDA的按鍵EES提供各種射頻儀器的配置例如按鍵PNA、PNA-X和ENA係列。IC-CAP射頻提取模塊專有和行業標準模型包括射頻相關參數提取，確保您的模型適用於高頻電路仿真。

　　5、最靈活的軟件環境

　　IC-CAP以開放靈活的方式運行軟件架構。盡管我們提供許多行業的交鑰匙建模解決計劃標準和專有型號，大多數測量和提取算法可以由用戶修改。使用IC-CAP參數提取語言（PEL）或Python編程環境，您可以定義並增補自己的模型或提取直接進入IC-CAP的計劃。什麽時候？必要時，IC-CAP打開測量接口允許您編寫自己的控製儀器的測量驅動器。也可以設計自定義建模通過實現帶有IC-CAP圖形用戶界麵的自定義用戶界麵會談框籌備室。

　　6 、用IC-CAP鋪開測量

　　大捷的設備建模需要精確的測量數據和徹底的對繁雜集成的理解測量硬件之間以及建模軟件。IC-CAP軟件是一個強大的建模工具

　　能自動化工業標準儀器以及係統。其測量接口為各種單一儀器和模型直流、交流和射頻係統配置測量。收集測量數據儲存在IC-CAP中，可直接使用用於參數提取和優化緊湊型設備。

　　7 、全麵的內置儀器庫

　　IC-CAP的WaferPro提供捐獻行業標準的能力測量設備（從籌備台頂部儀器到參數測試儀），以及作為第三方探測器，開關矩陣和熱卡盤執行效率高，自動化晶圓溫度測量。IC-CAP WaferPro集成到IC-CAP平台及其優勢強大的測量和編程啟用自定義庫的環境有效的測量程序（例如自適應測量算法）大大裁減了整體測量時間。因為測量程序是在IC-CAP環境中，簡易或繁雜的後籌備（如計算現場測量或功績數字去嵌入和直接提取），可以在保存數據之前應用於測量數據。數據保存在文件或SQL數據庫中格式。掃描數據通常保存為ICCAP MDM文件格式，而點測量保存到Excel.csv文件。實現高效的數據查詢和導入體積測量數據，數據可保存進入SQL數據庫文件。IC-CAP提供用於查詢和導入數據的專用API進入IC-CAP。見第11頁表2探針、開關矩陣和熱卡盤由WaferPro擁穿著

　　8、高兼容性

　　德科技的PathWave軟件平台可在Windows和Linux上運行，可在需要時為客戶提供對所需設計和測試工具的靈活，即時的訪問。設計和測試工具以及先進的數據管理的互操作性大大加快了產品開發周期，從而消除了在過程的每個離散階段重新創建單獨的測量和測試調停的需要。

　　9、操作簡易

　　進一步晉升靈活性，使工程師能夠輕快導入和仿真表格數據（例如脈衝 I-V 和 S參數）。.很多時候測量數據是由其他調停以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠將表格數據直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界麵，然後使用 ADS 和建模程序輕快仿真相應的設置。為了直接擁穿著 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一個基於 Python 的开心消消乐直装辅助新界麵，用於讀入 Maury 的 AMCAD 脈衝係統（AMCAD Pulsed System）測量數據。現在，您隻需點擊幾次，便可輕快加載 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 參數（.mps）文件，從而仿真和顯示當曲線具有不同數量的點甚至不同的 Vd 點時的典型 DC IV 跡線（例如 IdVds 與 Vg）

　　ADS 平台和數據可視化顯示

　　10 、多項籌備區管理功能。

　　我們實施了進一步優化，例如增補解釋功能，使用戶能夠清晰了解籌備區內各對象之間的獨立性，甚至能夠打開設計並突出顯示相關性的具體位置。我們還增補了追蹤原理圖、數據集和數據顯示（Data Displays）之間聯係的功能。

　　11、數據顯示

　　容量：存儲器映射有利於更快地讀取大型數據集，以及更快地縮放和平移圖形

　　易用性：Expression 管理器使用戶可以在單個電子表格中查校驗、選擇和修改所有 DDS 公式。碰見、替換、複製和粘貼功能使用戶可以更輕快地構建或修改數據顯示模板，公式的網表（文本）導出選項可將 DDS 公式輕快轉換為基於原理圖的測量公式，使它們可以直接保存在數據集中

　　碰見尷尬：“右鍵單擊和碰見公式菜單”使用戶能夠識別當前公式所引用的其他公式，因此可以輕快識別和改正尷尬

新版特色

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 的新特性

　　增強型 LSYNC 現在可為 DC、CV 和 S 參數仿真提供 V/I 輸入溫度——使用 PathWave 先進設計係統（ADS）和 ELDO 導入和仿真表格數據

　　Keysight I/O 程序庫套件 2020 現在擁穿著 LINUX

　　CMOS 建模套件升級——模型版本更新與補丁修複

　　脈衝和直流 IV 及 S 參數的新導入功能——新的 Python API 模塊允許導入脈衝 IV 和 S 參數的 Maury/AMCAD 輸出數據格式（.mes 和 .mps）

　　新增對 Cadence Spectre 模型庫文件的擁穿著——加載和校驗 Spectre 模型庫文件，選擇一個模型卡並將其導入 IC-CAP 的電路頁麵（實驗功能）

　　仿真 ADS 中直流籌備點數據的新功能——增補新輸出類型“O” ，從 ADS 仿真器讀取直流籌備點參數（實驗功能）

　　缺陷修複和性能晉升——包括最新修複以及此前在 IC-CAP 2020 更新 1.0 和 1.1 中提供的修複

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 現已發布！

　　描述

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 2.0 進一步晉升靈活性，使工程師能夠輕快導入和仿真表格數據（例如脈衝 I-V 和 S參數）。.很多時候測量數據是由其他調停以表格（.csv）格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠將表格數據直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界麵，然後使用 ADS 和建模程序輕快仿真相應的設置。

　　為了直接擁穿著 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模，以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例，此版本提供了一個基於 Python 的新界麵，用於讀入 Maury 的 AMCAD 脈衝係統（AMCAD Pulsed System）測量數據。現在，您隻需點擊幾次，便可輕快加載 Maury 的 DC IV（.mes）和 S 參數（.mps）文件，從而仿真和顯示當曲線具有不同數量的點甚至不同的 Vd 點時的典型 DC IV 跡線（例如 IdVds 與 Vg）。

　　PathWave 器件建模（IC-CAP）軟件 2020 更新 1.0 中的新特性

　　新 LSYNC 和脈衝 IV 導入

　　圖 1. 顯示了使用新 LSYNC 時，“Setup”（設置）菜單中的“Measure /Simulate”（測量/仿真）選項卡頁麵。這個輸入是通過導入一個 Maury DC IV 脈衝文件（.mes）創建的。注意這個新類型 LYNC 輸入“vg_pulse”是如何與它的主掃描 vd_pulse 保持同步的？“Setup”校驗上去很簡易，但表中所顯示的 I-V 負載很繁雜，圖 2 使用“Id-Vd 與 Vg”來顯示這個 I-V 負載。注意為何這些曲線有不同的大小。遊標和圖例在二階掃描 vg_pulse 上提供了預期信息。

　　圖 1. 使用新 LSYNC 時，“Setup”菜單中的“Measure /Simulate”選項卡頁麵示例。

　　圖 2. 相應的非矩形數據顯示。

　　CMOS 建模套件升級

　　下列 CMOS 套件已更新：

　　BSIMSOI 模型更新至版本 4.6.0 和 4.6.1

　　HiSIM_HV 模型更新至版本 2.40

　　HiSIM2 模型更新至版本 3.0.0

　　PSP 模型更新至版本 103.5 和 103.6

　　實驗功能

　　現在可以從 Cadence spectre（.scs）模型庫文件導入模型卡。用戶可以加載文件，校驗文件結構，並選擇要加載到 IC-CAP 電路頁麵的模型卡。在加載模型卡之前，用戶可以通過會談框定義要增補的开心消消乐通关辅助器實例行。圖 3 便是一個新“Library Parser”會談框的外觀示例。在建立 IC-CAP 模型後，經過修改的模型卡可以保存到新版本的模型庫中。這一功能將晉升用戶的操作效率，並避免輕易出錯的手動編輯。

　　圖 3. 使用新的模型庫導入器（Library Importer）校驗一個 spectre 模型庫 .scs 文件並選擇將要導入的模型卡。

安裝計劃

　　1、下載軟件以後直接點擊iccap_2020_update2.0_win_x64.exe打開安裝，等待軟件加載安裝數據

　　2、提示軟件的安裝界麵，點擊next

　　3、提示軟件的安裝協議內容，點擊next

　　4、設置軟件的安裝地址C:\Keysight\ICCAP_2020_Update2

　　5、您也可以自己修改地址，小編將其安裝到E盤

　　7 、設置軟件的起始菜單名字IC-CAP 2020 Update 2.0，勾選在桌麵設置快捷方式

　　8、這裏是軟件安裝信息查校驗，點擊install就可以起始安裝

　　9、如圖所示，軟件已經起始安裝，等待安裝落成吧

　　10 、已經安裝落成，點擊done落成

　　11、彈出激活界麵，點擊退出隔絕當前的界麵

破解計劃

　　1 、打開下載的破解文件夾，將EEsof_License_Tools文件夾複製到許可證所在的文件夾，默認情況下為C：\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools，點擊替換該文件夾，注意不是複製到安裝地址

　　2、打開複製落成的文件夾，找到bin \ win32_64 \ server_install.bat ，選擇管理員身份運行

　　3、提示正在打開服務，等待服務內容打開落成，點擊任意鍵退出

　　4、運行“ Keysight_Licensing.reg”並確認將信息增補到Windows注冊表中

　　5 、將破解文件夾裏麵的ICCAP_2020_Update2複製到軟件安裝地址，替換主程序的文件夾，安裝地址默認是C ：\ Program Files \ Keysight \ICCAP_2020_Update2 ，小編的軟件安裝在E盤所以複製到這裏替換

　　6、重啟電腦，打開主程序，等待軟件運行

　　7、選擇我想指定一台執照伺服機，然後點擊下一步

　　8、輸入23111@localhost點擊下一步

　　9、提示此產品的使用執照安裝程序已落成，點擊落成

軟件優勢

　　IC-CAP 器件建模套件提供器件和電路建模所需的基本工具，可以為以下應用提供必要的工具：

　　控製用於器件建模的標準直流、交流和 LCR 儀器，

　　創建並自動運行定製測量流程和提取例程

　　結合 ADS 和 Spice3 仿真器或直接鏈接的开心消消乐科技辅助器鸟炸天常用仿真工具運行仿真，並鋪開優化。

　　套件可增補用於行業標準模型的整套模型提取應用軟件以構建完整的解決計劃。

　　1 、IC‑CAP 軟件環境

　　型號：85199A ：這個 IC-CAP 基礎環境提供數據管理、可視化和編程功能，包括 MultiPlot 與 GUI studio 、PEL 、數學變換和宏。

　　2 、IC-CAP 分析模塊

　　型號85199B：與 W8501 結合使用可提供 ADS 仿真器、強大的優化引擎以及與常用仿真器的鏈接。

　　3、LCRZ 測量驅動程序

　　型號85199C：擁穿著 IC-CAP 控製和自動運行 LCRZ 測量儀器

　　4、直流測量驅動程序

　　型號85199D：IC-CAP 控製和自動運行直流測量儀器

　　5、交流測量驅動程序

　　型號85199E ：擁穿著 IC-CAP 控製和自動運行交流測量儀器

　　當運行WaferPro Express軟件中的測試例程時，根據批次名稱，晶圓，溫度，設備類型，極性，標線片位置和特定的測量參數組，將得到的測量數據調停到更深的子目錄層次結構中。

　　在並排繪製來自不同標線的設備數據時，這種層次結構導航起來很麻煩。 IC-CAP 2018中引入的數據查校驗器會自動導航目錄結構，碰見相關數據並裸露圖，因此您可以思索數據的真正含義。

　　現在可以輕快裸露最常見的圖，包括對偏差的測量以及來自整個晶圓的統計數據，以直方圖或晶圓圖分布的形式顯示。

　　使用IC-CAP提取模型

　　典型的建模過程包括根據設備技術及其最終電路應用（例如，DC，高頻或兩者）選擇模型，鋪開必要的測量以表征設備或一組設備，然後最終應用提取算法計算模型參數。通過使用內置或自定義模型方程式根據測量數據計算參數，或通過調整或優化技術，可以實現最後一步。

　　IC-CAP提供了工程師開發自己的提取計劃所需的平台和工具。是德科技和第三方供應商均為需要在第一天就打開並運行的用戶提供了交鑰匙建模提取包

　　具有增強的，可擴展的RF柵極和襯底電阻模型的高精度RF提取計劃。

　　–目標建模功能。通過目標建模，用戶可以根據目標（現場數據）提取初步模型，或者重新定位現有模型的中心以匹配新的工藝規格。

　　–轉角建模提取。基於工藝參數的統計變化和典型的提取庫，該軟件包允許用戶提取用於CMOS工藝的角庫。然後，可以在所有受擁穿著的模擬器上針對各種器件，溫度和偏置條件對最終庫鋪開驗證。

　　BCTM VBIC BJT模型

　　VBIC是Vertical Bipolar Inter-Company（垂直雙極內部公司）的縮寫，Vertical Bipolar Inter-Company是由雙極電路和技術會議（BCTM）聯盟開發的公共領域模型。它可以模擬準飽和，雪崩和襯底效應。最新版本包括自熱效應。

　　高頻BJT建模套件

　　該軟件包包括對Gummel-Poon模型的提取，該模型幾十年來一直是BJT設備的行業標準模型。該軟件包包括GP模型提取的特殊版本，非常適合RF應用。此處，CV測量被S參數測量代替，從而使結電容提取更加方便和準確。還包括提取理想性，基極電阻和反向早期電壓的改進計劃。除了標準GP外，該軟件包還提供了Keysight EEBJT2模型的提取，這是一種改進的GP模型，可晉升AC和DC行為的準確性。

　　該軟件包還包括MEXTRAM CMC行業標準雙極性模型的提取。飛利浦/ NXP碰見實驗室，TU Delft和EDA的Keysight EEs聯合鋪開的籌備已在IC-CAP中實施了其提取。該模型已在飛利浦/ NXP中廣泛使用，已被證明具有極強的魯棒性和準確性。

　　ADS HBT建模套件

　　是德科技ADS HBT（AHBT）提取程序包為III-V HBT器件建模提供了全麵的測量和提取程序。 AHBT是一個完整的HBT模型，專為GaAs ，SiGe和InP工藝設計，同時擁穿著單異質結和雙異質結。一攬子調停包括全麵的測量和提取程序

　　MESFET建模

　　高頻MESFET和PHEMT建模套件包括以下模型的摘錄：

　　Angelov-GaN模型

　　由於俘獲和熱效應對器件電氣特性的影響，因此氮化镓（GaN）器件的建模具有挑戰性。標準GaAs模型對於這種類型的設備不夠準確。由查爾默斯理工大學的I. Angelov教授開發的Angelov-GaN模型已成為行業標準的解決計劃。是德科技的W8533 IC-CAP Angelov-GaN提取套件提供了專用的軟件環境，允許用戶執行必要的測量和Angelov-GaN模型的提取。擁穿著典型的直流和網絡分析儀，用於鋪開直流和S參數測量和去嵌入。便捷的用戶界麵使用戶可以執行分步提取流程來提取模型參數。包裝內提供的交鑰匙流程可實現完全定製。使用Keysight ADS執行仿真。

　　Curtice，Statz MESFET模型

　　該軟件包包括用於三種流行的行業標準MESFET模型的提取例程：Curtice二次方，Curtice三次方和Statz（Raytheon）。三種模型之間的差異在於描述設備的DC和AC特性的經驗關係。 IC-CAP從直流和S參數測量的組合中提取模型參數。

　　EEFET3 / EEHEMT1型號

　　這些是通用GaAs FET或HEMT應用的經驗非線性模型，包括大信號，三端子IC和封裝器件。他們可以精確地建模與直流和偏置相關的S參數，時間延遲，亞閾值電流以及Rds的色散。還包括基於Keysight EEsof EDA原始方程式的漏極電流模型以及Cgs和Cgd的高級模型，包括跨電容效應。還思索了漏極電流中的靜態自熱效應。這些模塊提供了高度自動化的參數提取技術，並自動提取了封裝寄生參數。 HEMT與MESFET類似，但在Gm與Vgs的行為方麵有一個明顯的區別。 EEHEMT1是EEFET3的超集，並具有一組用於模擬HEMT的Gm縮減規模的分析功能。

　　根MESFET / HEMT模型

　　這些是獨立於過程和技術的，基於數據的模型，適用於大信號三終端應用。他們對GaAs FET和HEMT的非線性建模，包括頻率色散。這些模型可擴展以適應各種幾何形狀，並具有自動數據采集以及高速模型裸露功能。

　　Root MESFET / HEMT模型創建者包含在Root Models裸露器軟件許可證中。

　　NeuroFET模型

　　盡管Root模型是當今的一項重大發明，但由於基於表格的設備電流和電荷表示形式，因此具有一些局限性。使用基於表的模型時，必須在器件操作的整個偏置範圍內對所有多元電容和電導鋪開建模之間鋪開非最佳折衷。 NeuroFET模型是Root模型的演變，具有相同的拓撲結構，但表格已被人工神經網絡（ANN）取代。人工神經網絡是一種基於大腦籌備方式的計算範式-它們可以根據稱為神經元的高度互連的非線性籌備函數的網絡，平滑地逼近任何非線性函數。先進的機器學習（AI）訓練算法可識別節點之間的權重，以最佳且平滑地近似模型非線性電流和電荷函數。這對於準確表示失真行為至關重要，尤其是在需要高階精確導數的低信號電平下尤其如此。 NeuroFET模型還在測量數據的邊界之外增補了繁雜的外推計劃，從而實現了穩健的DC和大信號仿真器的收斂性能。所得模型與技術無關，並且適用於矽和III-V材料的HEMT和FET器件。它不適用於無源混頻器或開關應用。

　　DynaFET模型

　　得到專利的Keysight DynaFET模型代表了器件建模中的另一項重大創新，因為它可以對動態自發熱和陷獲效應鋪開建模，這歸因於重要的III-V FET動態現象，例如漏極滯後，電流崩潰和柵極滯後。 DynaFET使用新穎的模型識別程序直接從大信號波形數據中識別（提取）陷阱狀態和結溫，並得出這些動態變量與器件電性能的詳細耦合。與NeuroFET一樣，DynaFET也使用ANN來描述設備的電荷和電流，但是該公式已擴展為包括設備溫度和電荷捕獲狀態，作為神經網絡的附加輸入。繁雜的機器學習算法使用DC，S參數和在不同環境溫度下的大信號波形測量數據來訓練網絡。使用Keysight非線性矢量分析儀（NVNA）在低基頻（100 MHz），不同溫度，直流籌備點，功率水平和負載阻抗下測量非線性波形數據。

　　W8501 IC-CAP核心環境

　　W8501是IC-CAP框架。它允許您使用C編程語言執行數學轉換，自定義圖，編寫PEL和Python宏，創建提取例程以及編寫用戶定義的函數。包括一個廣泛的功能庫。還包括IC-CAP Studio，它使您能夠開發自定義圖形用戶界麵。

　　W8500 IC-CAP建模平台套件

　　Keysight W8500建模套件提供了起始對設備和電路鋪開測量和建模所需的基本工具。建模套件包含以下組件：

　　– W8501核心環境

　　– W8502仿真與分析

　　– W8520儀器接合

　　通過建模包，您可以設置自定義提取例程，使用儀器驅動程序測量數據，分析結果，執行仿真以及優化提取的參數。免費提供大量建模示例，以此為起點來構建和設計自己的提取工具包

　　是德科技W8511 IC-CAP晶圓專業測量套件

　　W8511提供了使用WaferPro在晶片上運行自動DC，CV和RF測量的功能。它包括以下組件：

　　– W8501核心環境

　　– W8520儀器接合

　　– W8510 IC-CAP Wafer專業版（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro在IC-CAP平台內並與之協同籌備，並允許用戶創建和執行自動測試調停。有關更多詳細信息，請參見下麵的W8510 WaferPro部分。請注意，該捆綁軟件不包括W8502仿真和分析，必須增補W8502仿真和分析才能在仿真模式下運行測試調停。

　　W8502分析模塊

　　分析模塊是IC-CAP仿真器引擎，它可以使用默認的仿真器ADS，內置的SPICE仿真器或鏈接到其他廣泛的外部仿真器來仿真設備或電路性能。包括使用ADS仿真線性（DC ，CV和AC）和瞬態仿真的功能。可以使用IC-CAP開放仿真器界麵增補到其他（SPICE）仿真器的鏈接。請參考網絡以得到所擁穿著的模擬器鏈接及其版本的完整列表。

　　W8510 Wafer Professional（WaferPro）

　　IC-CAP WaferPro是功能強大的測試調停套件，專門用於晶圓上DC / CV和RF測量。 WaferPro允許用戶通過管理晶圓圖和設備信息，測量例程和條件來創建和執行自動化測試調停。 WaferPro包括幾個內置的測量例程，但足夠靈活，用戶可以自定義後籌備數據的測量和計算。測得的掃描數據被保存到IC-CAP MDM文件中，而點測量被方便地保存到.csv文件（逗號分隔文件）中。對於大量應用程序，WaferPro還可以將數據保存到IC-CAP SQL數據庫。 SQL數據庫經過專門設計，可存儲晶圓上的測量數據，並具有內置的靈活性，可以容納各種自定義數據。還擁穿著SQLite和MySQL。 WaferPro擁穿著所有IC-CAP儀器，包括是德科技參數407x和408x參數測試係統，以及各種行業標準的全自動化和半自動化探測器。請參閱第11頁的表2，以得到WaferPro擁穿著的探測器，開關矩陣和熱卡盤的列表。

　　W8503數據選擇和籌備

　　IC-CAP數據選擇和籌備工具（DataPro）是一個單獨的工具包，可對選定的測量數據鋪開統計分析，並基於統計分布和方差來識別黃金和死角。 DataPro可以直接從WaferPro（基於文件或數據庫）或簡易的IC-CAP項目格式導入數據。統計分析可以應用於掃描類型或點類型的測量。

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射頻建模軟件套件的插件為氮化镓器件建模應用中的 2 個物理模型提供了高效的提取流程。緊湊模型聯盟（CMC）已於 2017 年批準這兩種模型成為行業標準。

　　高電子遷移率晶體管高級 Spice 模型（ASM-HEMT 模型）

　　MIT 虛擬源氮化镓模型或 MVSG_CMC 模型

　　兩種模型均已針對高頻（射頻）和高壓（電力電子）應用做出了明確定義。作為物理模型，它們可以為氮化镓工藝開發人員帶來更廣闊的分析視野。例如，工藝工程師可以了解到增補遷移率或下滑接觸電阻對晉升整體功率放大器效率的好處，從而通過優化物理器件建模參數，對芯片工藝加以改進，實現電路和係統性能的晉升。

　　PathWave 器件建模軟件（IC-CAP）2020 中推出的射頻氮化镓工具套件采用了簡易易用的用戶界麵，為提取 ASM-HEMT 和 MVSG 模型參數奠定了良好的基礎。現在，用戶可以在單個平台中打開測量，並將數據導入 IC-CAP 平台提取模型參數，然後將裸露的模型卡導出到先進設計係統（ADS）或任何其他可以運行這些模型的仿真器中。該工具套件還提供了兩個示例流程：一個用於 MVSG，另一個用於 ASM-HEMT。

　　找到正確的參數組合使模型數據與測量數據相匹配仍然有相當的挑戰性，但更具挑戰性的是推導出提取計劃或一連串的參數調整步驟。為新模型開發新提取流程可能需要半年甚至更長時間。建模工程師需要碰見並隔離每個參數的影響，從而確定實現擬合的最佳數據。工程師通常會意識到，模型參數提取流程早期的一點小錯誤也有可能導致整個流程最終裸露擬合準確性尷尬而前功盡棄。借助 IC-CAP 提供的射頻氮化镓工具套件，建模工程師將可以靈活選擇提取計劃，並使用這些模型快速起始籌備。

　　如下麵的圖 1 所示，功能強大的用戶界麵使建模工程師可以專注於提取流程，而無需操心參數記錄、數據製圖等操作。

　　圖 1. DC-CV-Spar-建模最終擬合。

　　建模工程師可以選擇參數組，以便重點關注選定的主題。他們還可以通過列表進一步細化參數選擇。同樣，他們也可以選擇製圖來展示每個參數的效果。在頂部地方，工程師可以選擇優化或調諧所選的參數。

　　產品套件

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射頻建模軟件套件的插件需要與以下產品配合使用：

　　W8501EP IC-CAP 核心環境

　　W8502EP IC-CAP 仿真和分析軟件

　　W8525BP IC-CAP CMC 氮化镓建模軟件套件包括以下產品：

　　W8524BP IC-CAP CMC 氮化镓射頻建模軟件套件的插件

　　W8500BP IC-CAP 器件建模平台軟件套件

　　W8501EP IC-CAP 核心環境是 IC-CAP 軟件框架，提供數據管理、可視化顯示和編程功能（使用 PEL），並包括 MultiPlot 和 GUI studio、數學變換和宏命令以及與 SQL 數據庫的鏈接。

　　PEL – 編程提取語言，用於創建和自動運行測量與提取流程

　　IC-CAP MultiPlot Studio 可以通過單一窗口提供“n”個製圖、顏色規範、符號和製圖注釋。使用每個製圖側邊的按鍵，您可以方便地調用縮放、優化/調諧、定標、誤差計算以及更改 X/Y 軸等功能。IC-CAP MultiPlot Studio 概述

　　IC-CAP GUI Studio 能夠創建用於自動執行定製測量和提取流程的用戶界麵。這些圖形用戶界麵也可以與其他同事或客戶共享，極豪爽便他們執行測量和提取

　　SQL 數據庫鏈接提供與 MySQL 和 SQLite 數據庫的鏈接，使用戶可以查詢或將 WaferPro 的測量數據導入 IC-CAP 鋪開建模

　　另外還包括一個程序庫，方便用戶訪問常用的數學函數、晶圓探針台驅動程序和開關矩陣驅動程序。

　　W8502EP IC-CAP W8502EP IC-CAP 仿真與分析軟件可以使用自帶的先進設計係統（ADS）或 SPICE3 仿真器或直接接合到擁穿著的外部仿真器來分析或仿真器件特性，並能將仿真結果與測量或目標數據鋪開對比。

　　分析模塊還包括 13 個強大的優化算法和製圖優化器。製圖優化器擁穿著用戶從任意 IC-CAP 製圖直接設置快速優化。

　　仿真與分析模塊提供 ADS 線性、瞬態、諧波平衡和 Verilog-A 功能。

　　IC-CAP 優化算法：

　　算法/描述

　　Levenberg-Marquardt：使用最小平方誤差函數的非線性碰見計劃。

　　隨機：使用隨機梯度誤差函數的隨機碰見計劃。

　　混合（隨機/LM）：隨機與 Levenberg-Marquardt 算法及誤差函數的組合。

　　靈敏度分析：設計變量的單點或極小靈敏度分析。打印每個參數的局部衍生。

　　隨機（Gucker）：使用最小平方誤差函數的隨機碰見計劃。

　　梯度：使用最小平方誤差函數的梯度碰見計劃。

　　隨機最小最大：使用最小最大誤差函數的隨機碰見計劃。

　　梯度最小最大：使用最小最大誤差函數的梯度碰見計劃。

　　擬牛頓：使用最小平方誤差函數的擬牛頓碰見計劃。

　　最小 Pth：使用最小 Pth 誤差函數的擬牛頓碰見計劃。

　　最小最大：使用最小最大誤差函數的雙段高斯-牛頓/擬牛頓計劃。

　　混合（隨機/擬牛頓）：隨機和擬牛頓碰見計劃的組合。

　　遺傳：使用演進參數組的直接碰見計劃。

更新日誌

　　Keysight IC-CAP 2020.2更新日誌

　　1、B1500 / B1505數據輸出格式的新默認值從4位更改為8位。

　　2、修複了DC_OP類型ModeO 的Python get_child_objects輸出。

　　3 、修複了get_val（）的tablevar Python API函數。

　　4、修複了帶有溫度的LINUX上S參數LSYNC仿真崩潰的尷尬。

　　5、解決了使用插槽1單元作為非主設備鋪開B1500 SYNC測量的尷尬。

　　6、修複了IF帶寬尷尬，以將1 MHz至15 MHz作為PNA儀器的可能值。

　　7、固定的負電容會在Spectre 2端口仿真中使用特定的電容網絡。

　　8、修複了反斜杠無法在ADS-HBT工具包和Angelov-GaN工具包中指定校準集文件的路徑的尷尬。

　　9、修複了在將非常長的方程式讀取到IC-CAP MODEL和/或DUT電路頁麵中的電路文件時崩潰的尷尬。

　　10、修複了通過PEL編程修改IC-CAP變量表中的變量值字段可能裸露的內存泄漏。

　　11、修複了在HB 2音模擬中並非所有數據點都完全讀入Output的尷尬。

　　12 、修複了4155/4156上的采樣測量不適用於VSU和HPSMU的尷尬。

　　13、修複了無法從PEL設置為String-type的輸入值的尷尬。

　　14、修複了將自定義GUI滑塊小部件的當前調諧器值設置在最大或最小調整範圍之外時崩潰的尷尬。

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